ATOS压力传感器E-ATR-8/400/I结构方式

ATOS压力传感器E-ATR-8/400/I结构方式

产品型号:

 编码ESP-RI-TEB-N-NP-05H

 ATOS比例阀： DPZO-TEB-SN-NP-471-L5/E

LIQZP-LEB-SN-NP-402L4

比例调节电磁网RZMO-P2-02-REB-P-NP-010/210

 单向节流阀;HQ-023/U   ATOS

 电磁阀QVHZO-A-06/12 2024VDCATOS

DKE-1714/WP 

 DHZO-TEB-SN-NP-071-S5

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H 11/DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71 

ATOS 14W1120DPZO-LES-SN-NP-260-L5/B

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H/Q11 DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71  

ATOS 电磁阀线圈 SDKE-1751/2 10S/PE 24V

产品功能;

如果将传感器强行安装在过小的孔或形状不规则的孔中，就有可能造成传感器的震动膜受到冲击而损坏，选择合适的工具加工安装孔，有利于控制安装孔的尺寸，另外，合适的安装扭矩有利于形成良好的密封，但是如果安装扭矩过高就容易引起高温熔体压力传感器的滑脱，为防止这种现象发生，通常在传感器安装之前在其螺纹部分上涂抹防脱化合物。

我们知道，晶体是各向异性的，非晶体是各向同性的。某些晶体介质，当沿着一定方向受到机械力作用发生变形时，就产生了极化效应；当机械力撤掉之后，又会重新回到不带电的状态，也就是受到压力的时候，某些晶体可能产生出电的效应，这就是所谓的极化效应。科学家就是根据这个效应研制出了压力传感器。

半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。

静电容量型压力传感器，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 （E8Y的动作原理便是静电容量方式，其他机种采用半导体方式）。

压电传感器中使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度过这个范围之后，压电性质完全消失（这个高温就是所谓的“居里点”）。由于随着应力的变化电场变化微小（也就说压电系数比较），所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。而酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数，但是它只能在室温和湿度比较环境下才能够应用。磷酸二氢胺属于人造晶体，相对密度1.80，熔点190℃，能够承受高温和相当高的湿度，在空气中稳定。常温下( 20℃)在水中的溶解度为37.4g，微溶于乙醇，不溶于丙酮，所以 已经得到了广泛的应用。在现在压电效应也应用在多晶体上，比如现在的压电陶瓷，包括钛酸钡压电陶瓷、PZT、铌酸盐系压电陶瓷、铌镁酸铅压电陶瓷等等。

ATOS压力传感器E-ATR-8/400/I结构方式